硅碳棒元件在不同气氛下使用温度和表面负荷的控制

气氛

炉温（℃）

表面负荷（W/cm²）

对元件的影响

解决办法

氨

1290

3.8

与SiC作用生成甲烷减少SiO₂保护膜

露点激活

CO₂

1450

3.1

侵蚀碳化硅

用石英管保护

18%CO

1500

4.0

无影响

20%CO

1370

3.8

吸附碳粒影响SiO₂保护膜

卤素

704

3.8

侵蚀碳化硅减少SiO₂保护膜

用石英管保护

碳氢化合物

1310

3.1

吸附碳粒而导致热污染，分解的碳沉积，易造成电器故障

送进充分的空气

氢

1290

3.1

与SiC作用反应生成甲烷减少SiO₂保护膜

露点激活

甲烷

1370

3.1

吸附碳粒而导致热污染

N

1370

3.1

与SiC反应形成氮化硅绝缘层

Na

1310

3.8

侵蚀碳化硅

用石英管保护

SO₂

1310

3.8

侵蚀碳化硅

用石英管保护

真空

1204

3.8

氧

1310

3.8

碳化硅被氧化

水（不同含量）

1090~1370

3.1~3.6

与SiC作用生成硅的水化物

炉温℃

1100

1200

1300

1350

1400

1450

发热部表面负荷

<17

<13

<9

<7

<5

<4